聚砜类/铸型尼龙6复合材料的阴离子原位制备方法-华侨大学厦门工程技术研究院

专利名称	聚砜类/铸型尼龙6复合材料的阴离子原位制备方法		类型	发明
专利号	200610040169.5	申请日	2006.04.30
公开日	2006.11.22	授权公告日	2009.7.22
专利权人	华侨大学	发明人	林志勇
专利简介	本发明公开了一种聚砜类/MC尼龙6复合材料的阴离子原位制备方法。其原料包括己内酰胺、聚砜类、催化剂、活化剂等，首先将己内酰胺单体加热熔化，真空脱水，加入催化剂，继续真空脱水，后加入聚砜类树脂，磁力搅拌，使聚砜在己内酰胺熔体中充分溶解直至其均匀分散，加入活化剂，迅速混合均匀后浇铸到预热的模具中，脱模，即得聚砜类/MC尼龙6复合材料。用本发明方法制备的原位复合材料，其拉伸强度、拉伸弹性模量、弯曲强度、弯曲弹性模量都有一定的提高，特别是耐热性，较纯MC尼龙有大幅度的改善，提高了近80℃。
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