具有CsPbBr3@MABr核一壳结构的钙钛矿薄膜覆盖度高，表面平整，晶体界面及表面的MABr能有效钝化CsPbBr3的缺陷态，且薄膜表面的MABr起到了阻挡过量电子的注入，表现出优异的光电性能，将得到的薄膜用于钙钛矿LED器件得到外量子效率超过17%，并通过进一步优化器件结构，在钙钛矿发光层和电子传输层之间引入聚甲基丙烯酸甲醋(PMMA)绝缘材料作为阻挡层，进一步改善了器件中电子和空穴的注入平衡和界面特性，使器件的性能和稳定性都得到了进一步的提高，最终得到了EQE超过20%，寿命（T50）超过100小时的钙钛矿LED器件。将钙钛矿LED的发展提到了一个新的高度。
图 1 性能分析
